O carboneto de silício SiC é um material semicondutor composto composto de silício Si e carbono C, geralmente no tipo cristal 4H-SiC. A intensidade do campo de ruptura do isolamento é 10 vezes maior que a do Si, a lacuna de energia é 3 vezes maior que a do Si, a condutividade térmica é 3 vezes maior que a do Si e a velocidade de deriva de saturação é 2 vezes maior que a do Si. É um material para dispositivos eletrônicos de potência muito superior ao Si.